收藏本站
PD - 91339A
IRF520N
HEXFET ? Power MOSFET
l
l
l
l
l
Advanced Process Technology
Dynamic dv/dt Rating
175°C Operating Temperature
Fast Switching
Fully Avalanche Rated
G
D
V DSS = 100V
R DS(on) = 0.20 ?
Description
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier
utilize advanced processing techniques to achieve
extremely low on-resistance per silicon area. This
benefit, combined with the fast switching speed and
ruggedized device design that HEXFET Power
MOSFETs are well known for, provides the designer
with an extremely efficient and reliable device for use
in a wide variety of applications.
The TO-220 package is universally preferred for all
commercial-industrial applications at power dissipation
levels to approximately 50 watts. The low thermal
resistance and low package cost of the TO-220
contribute to its wide acceptance throughout the
industry.
Absolute Maximum Ratings
S
TO-220AB
I D = 9.7A
Parameter
Max.
Units
I D @ T C = 25°C
Continuous Drain Current, V GS @ 10V
9.7
I D @ T C = 100°C
I DM
P D @T C = 25°C
V GS
E AS
I AR
E AR
dv/dt
Continuous Drain Current, V GS @ 10V
Pulsed Drain Current ?
Power Dissipation
Linear Derating Factor
Gate-to-Source Voltage
Single Pulse Avalanche Energy ?
Avalanche Current ?
Repetitive Avalanche Energy ?
Peak Diode Recovery dv/dt ?
6.8
38
48
0.32
± 20
91
5.7
4.8
5.0
A
W
W/°C
V
mJ
A
mJ
V/ns
T J
T STG
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Soldering Temperature, for 10 seconds
Mounting torque, 6-32 or M3 srew
-55 to + 175
300 (1.6mm from case )
10 lbf?in (1.1N?m)
°C
Thermal Resistance
Parameter
Typ.
Max.
Units
R θ JC
Junction-to-Case
–––
3.1
R θ CS
R θ JA
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface
Junction-to-Ambient
0.50
–––
–––
62
°C/W
5/13/98
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
IRF520SPBF MOSFET N-CH 100V 9.2A D2PAK
IRF5210L MOSFET P-CH 100V 40A TO-262
IRF5305L MOSFET P-CH 55V 31A TO-262
IRF530A MOSFET N-CH 100V 14A TO-220
IRF530NL MOSFET N-CH 100V 17A TO-262
IRF530STRLPBF MOSFET N-CH 100V 14A D2PAK
IRF540NL MOSFET N-CH 100V 33A TO-262
IRF540STRR MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK
相关代理商/技术参数
IRF520NHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
IRF520NL 功能描述:MOSFET N-CH 100V 9.7A TO-262 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF520NLPBF 功能描述:MOSFET N-CH 100V 9.7A TO-262 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF520NPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 100V 9.7A 200mOhm 16.7nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF520NS 功能描述:MOSFET N-CH 100V 9.7A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF520NSHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 9.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
IRF520NSPBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, 100V, 9.5A, 200 MOHM, 16.7 NC QG, D2-PAK 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 9.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 100V 9.7A 3PIN D2PAK - Rail/Tube 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 9.7A 3-Pin (2+Tab) D2PAK Bulk 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N 100V 9.5A D2-PAK 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, N, 100V, 9.5A, D2-PAK 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, N, 100V, 9.5A, D2-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:9.7A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):200mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Power ;RoHS Compliant: Yes
IRF520NSTRL 功能描述:MOSFET N-CH 100V 9.7A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件